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TX-KB102 高頻IGBT、MOSFET驅動器
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產品特點
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單管高頻IGBT、MOSFET驅動器
-
變壓器信號耦合，延遲小，工作頻率高
-
工作占空比5－95％
- 短路時軟關斷保護，并可各種保護參數
- 關斷時輸出為負電平，抗干擾能力強
-
IGBT的柵極充電和放電速度可分別調節
原理框圖
主要參數
參數 |
符號 |
測試條件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
單位 |
| 驅動電源 |
Vp |
|
20 |
24 |
25 |
V |
| 輸出電壓 |
Vo+ |
|
|
14.5 |
|
V |
| Vo- |
|
|
-8.5 |
|
| 輸出電流 |
Io+ |
電容負載 |
|
|
6 |
A |
| Io- |
|
|
-6 |
| 輸出電荷 |
Qout |
|
|
|
4 |
μ C |
| 驅動功率 |
Po |
|
|
|
2.5 |
W |
| 工作頻率 |
Fop |
|
30 |
|
200 |
KHz |
| 占空比 |
δ |
|
5 |
|
95 |
% |
| 工作環境溫度 |
Top |
|
-40 |
|
85 |
℃ |
產品應用
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